氮化镓市场风口来临 国内哪些企业在布局？

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日前，华为旗下哈勃投资入股山东天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料再次走入大众视野，引起业界重点关注。
事实上，随着半导体技能不停进步，对半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高，传统硅半导体材料逐渐无法满足性能需求，碳化硅、氮化镓品级三代半导体材料凭借着优异的性能，早已成为当前世界各国竞相结构的核心，我国在加速发展集成电路产业的同时，把发展第三代半导体技能列入国家战略。
如今5G时代到来，将推动半导体材料实现革命性变革。其中，氮化镓器件以高性能特点广泛应用于通信、国防等范畴，其市场需求有望在5G时代迎来发作式增长。风口来临，我国目前有哪些企业在结构？下面将从衬底、外延片、制造及IDM几大分类盘货国内氮化镓主要企业。
GaN衬底企业
东莞市中稼半导体科技有限公司
东莞市中镓半导体科技有限公司创建于2009年1月，总部设于广东东莞，总注册资本为1.3亿元人民币，总部设立厂房办公区等共17000多平方米，并在北京有大型研发中心，为中国国内一家专业生产氮化镓衬底材料的企业。
官网显示，中镓半导体已建成国内首家专业的氮化镓衬底材料生产线，制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底，并可以或许稳定生产。2018年2月，中镓半导体实现4英寸GaN自支撑衬底的试量产。
东莞市中晶半导体科技有限公司
东莞市中晶半导体科技有限公司创建于2010年，是广东光大企业团体在半导体范畴继中镓半导体、中图半导体后结构的第三个重点产业化项目。
中晶半导体主要以HVPE设备等系列细密半导体设备制造技能为支撑，以GaN衬底为底子，重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技能，并向新型显示模组方向延展；同时，中晶半导体将以GaN衬底材料技能为底子，孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技能，并进行全球产业结构。
苏州纳维科技有限公司
苏州纳维科技有限公司创建于2007年，致力于氮化镓单晶衬底的研发与产业化，实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产物的工程化技能开辟、突破了6英寸的关键技能，现在是国际上少数几家可以或许批量提供2英寸氮化镓单晶产物的单元之一。
据官网先容，目前纳维科技GaN单晶衬底产物已提供给300余家客户使用，正在提升产能向企业应用市场发展，重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大范畴。
镓特半导体科技（上海）有限公司
镓特半导体科技（上海）有限公司创建于2015年4月，主要从事大尺寸的高质量、低本钱氮化镓衬底的生长，以推动诸多半导体企业可以或许以公道价来购买并使用氮化镓衬底。镓特半导体已自主研发出HVPE设备，并用以生长高质量的氮化镓衬底。
官网显示，借助自主研发的HVPE设备，镓特半导体已乐成生长出4英寸的自支撑氮化镓衬底。镓特半导体表现，未来几年内将建玉成球最大的氮化镓衬底生长基地，以此进一步推广氮化镓衬底在半导体材料市场上的广泛应用，并将依托自支撑GaN衬底进行中下游的高端LED、电力电子及其他器件的研发和制造。
GaN外延片企业
苏州晶湛半导体有限公司
苏州晶湛半导体有限公司创建于2012年3月，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。2013年8月，晶湛半导体开始在苏州纳米城创建GaN外延材料生产线，可年产150mm氮化镓外延片2万片；2014年底，晶湛半导体发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产物。
官网先容称，停止目前，晶湛半导体已完成B轮融资用于扩大生产规模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月产能达1万片。晶湛半导体现已拥有全球凌驾150家的著名半导体公司、研究院所客户。
聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司创建于2018年6月，专注于电力电子应用的外延材料增长。针对外延材料市场，聚能晶源正在开辟硅基氮化镓材料生长技能并销售硅基氮化镓外延材料作为产物。
2018年12月，聚能晶源乐成研制了到达全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压本领的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高匀称性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。
北京世纪金光半导体有限公司
北京世纪金光半导体有限公司创建于2010年12月，颠末多年发展，世纪金光已成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的企业。
在碳化硅范畴，世纪金光已实现碳化硅全产业链贯通，氮化镓方面，官网显示其目前则以氮化镓基外延片为主。
聚力成半导体（重庆）有限公司
聚力成半导体（重庆）有限公司创建于2018年9月，是重庆捷舜科技有限公司在大足区设立的公司。2018年9月，重庆大足区政府与重庆捷舜科技有限公司签约，拟在重庆创建“聚力成外延片和芯片产线项目”。
2018年11月，聚力成半导体（重庆）有限公司举行奠基仪式，项目正式开工。该项目占地500亩，筹划投资50亿元，将在大足高新区创建集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研发与生产、封装测试、产物设计应用为一体的全产业链基地。2019年6月5日，该项目一期厂房正式启用，预计将于今年10月开始外延片的量产。
GaN制造企业
成都海威华芯科技有限公司
成都海威华芯科技有限公司创建于2010年，是国内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工企业。据相识，海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建，2015年1月，海特高新以5.55亿元收购海威华芯原股东股权，并以增资的方式取得海威华芯52.91%的股权成为其控股股东，从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研制范畴。
海威华芯6英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线已于2016年8月投入试生产。官网显示，海威华芯已开辟了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺，发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的希望。
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司创建于2014年，是LED芯片制造公司三安光电下属子公司，基于氮化镓和砷化镓技能谋划业务，是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂，服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场，具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合本领。
三安集成项目总规划用地281 亩，总投资额30亿元，规划产能为30万片/年GaAs高速半导体外延片、30万片/年GaAs高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。官网显示，三安集成在微波射频范畴已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线，在电子电路范畴已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。
华润微电子有限公司
华润微电子有限公司是华润团体旗下负责微电子业务投资、发展和谋划管理的企业，亦是中国本土具有重要影响力的综合性微电子企业，其聚焦于模仿与功率半导体等范畴，业务包罗集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件，目前拥有6-8英寸晶圆生产线5条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司3家，为国内拥有完整半导体产业链的企业。
2017年12月，华润微电子完成对中航（重庆）微电子有限公司（后更名为“华润微电子（重庆）有限公司”）的收购，重庆华润微电子接纳8英寸0.18微米工艺技能进行芯片生产，并在主生产线外建有独立的MEMS和化合物半导体工艺线，具备氮化镓功率器件规模化生产制造本领。
杭州士兰微电子股份有限公司
杭州士兰微电子股份有限公司创建于创建于1997年，专业从事集成电路芯片设计以及半导体相关产物制造，2001年开始在杭州建了第一条5英寸芯片生产线，现已成为国内集成电路芯片设计与制造一体（IDM）企业。
比年来，士兰微逐步结构第三代化合物功率半导体。2017年，士兰微买通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月，士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工，其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元，定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。
GaN IDM企业
苏州能讯高能半导体公司
苏州能讯高能半导体有限公司创建于2011年，致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技能与产业化，为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波范畴和工业控制、电源、电动汽车等电力电子范畴等两大范畴提供高效率的半导体产物与服务。
能讯半导体接纳整合设计与制造（IDM）的模式，自主开辟了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技能，目前公司拥有专利256项。该公司在江苏建有一座氮化镓（GaN）电子器件工厂，厂区占地55亩，累计投资10亿元。
江苏能华微电子科技发展有限公司
江苏能华微电子科技发展有限公司创建于2010年6月，是由国家千人筹划专家朱廷刚博士领衔的、由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发、生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高科技公司。
能华微电子先后负担了国家电子信息产业振兴和技能改造专项的大功率GaN功率电子器件及其材料的产业化项目、国家重点研发筹划战略性先进电子材料重点专项的GaN基新型电力电子器件关键技能项目等。2017年，能华微电子建成8英寸氮化镓芯片生产线并正式启用。
英诺赛科（珠海）科技有限公司
英诺赛科（珠海）科技有限公司创建于2015年12月，该公司接纳IDM 全产业链模式，致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。2017年11月，英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产，成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线，主要产物包罗30V-650V氮化镓功率与5G射频器件。
2018年6月，总投资60亿元的英诺赛科苏州半导体芯片项目开工，今年8月30日项目主厂房封顶，预计12月底生产设备正式进厂，2020年可实现规模化量产。该项目聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产物，将打造将成为集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试即是一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。
大连芯冠科技有限公司
大连芯冠科技有限公司创建于2016年3月，该公司接纳整合设计与制造（IDM）的商业模式，主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售，产物应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等范畴。
官网先容称，芯冠科技已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠科技在国内率先推出符合产业化尺度的650伏硅基氮化镓功率器件产物（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。
江苏华功半导体有限公司
江苏华功半导体有限公司创建于2016年5月，注册资本为2亿元人民币，一期投入10亿元人民币。官网先容称，目前公司已全面掌握大尺寸Si衬底高电导、高耐压、高稳定性的GaN外延技能并掌握具有自主知识产权的增强型功率电子器件制造技能。
根据官网显示，华功半导体可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件用外延片产物，并基于华功自有知识产权的GaN-on-Si外延技能设计和制造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。
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